"Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи"

Оценка потерь MOSFET транзисторов в ключевых ультразвуковых генераторах

Мовчанюк Андрей Валерьевич., к.т.н., доц.; Вистизенко Евгений Виталиевич

Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт», Киев, Украина

Анотація

Проаналізовані основні співвідношення для розрахунку втрат в ключових транзи-сторних каскадах на MOSFET транзисторах. Розглянуті параметри MOSFET транзистора, що впливають на динамічні втрати. Приведена методика розрахунку втрат в MOSFET транзисторах при роботі в ключовому режимі.

Ключові слова: MOSFET, ключовий режим, статичні втрати, динамічні втрати.

Аннотация

Проанализированы основные соотношения для расчета потерь в ключевых транзисторных каскадах на MOSFET транзисторах. Рассмотрены параметры MOSFET транзистора влияющие на динамические потери. Приведена методика расчета потерь в MOSFET транзисторах при работе в ключевом режиме.

Ключевые слова: MOSFET, ключевой режим, статические потери, динамические потери.

Abstract

Analyzed the basic value for calculating the loss of switch stages in MOSFET transistors. Considered MOSFET transistor parameters affecting the dynamic losses. The methodology of calculation of losses in the MOSFET transistor when operating in switch mode. Shows an example of the calculation.

Keywords: MOSFET, a switch mode, static losses, dynamic losses.

Додатки:

Мовчанюк А.В., Вистизенко Е.В.

[тезисы]

394 Kb

...