"Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи"

Низькотемпературні ємнісні елементи на основі ниткоподібних кристалів кремнію

Дружинін Анатолій Олександрович, д.т.н., професор; Островський І.П., д.т.н., доцент; Ховерко Ю.М., к.т.н., с.н.с.; Корецький Р.М.

Національний університет «Львівська політехніка», м.Львів, Україна

Анотація

На основі імпедансних досліджень НК Si з концентрацією легуючої домішки 5∙10¹⁷–10¹⁸ см^-3, що відповідає діелектричному боку переходу метал-діелектрик, запропоновано можливість створення напівпровідникових реактивних елементів з ємнісним імпедансом, працездатних за низьких температур 4,2–30К.

Ключові слова: нитевидные кристаллы, импеданс, емкость.

Аннотация

На основе импедансных исследований НК Si с концентрацией легирующей примеси 5∙10¹⁷–10¹⁸ см^-3, что соответствует диэлектрической стороне перехода металл-диэлектрик, предложено возможность создания полупроводниковых реактивных элементов с емкостным імпедансом, работоспособных при низких температурах 4,2–30К.

Ключевые слова: Адаптивная фильтрация, фильтры на ПАВ, пленки окиси цинка.

Abstract

The paper deals with studies of impedance spectroscopy of Si whiskers with doping concentration 5∙10¹⁷–10¹⁸ cm^-3 corresponding to metal-insulator transition in the region of low (4,2–30 K) temperatures. The semiconductor reactive element with capacity impedance has been proposed based on Si whiskers, which can operate in the range of low temperatures.

Keywords: impedance, whiskers, capacitor.

Додатки:

Дружинін А.О., Островський І.П., Ховерко Ю.М., Корецький Р.М.

[тези]

396 Kb

...