"Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи"

Разработка устройств и систем выращивания слитков арсенида галлия для изделий микро, нано электроники и фотовольтаики

Оксанич Анатолій Петрович¹ , д.т.н., проф.; Притчин Сергій Емільович¹, к.т.н., доц.; Тербан Віктор Андрійович ² , к.т.н., доц.

(¹ Кременчугский национальный университет им. Михаила Остроградского, г. Кременчуг, Украина, ²ЧП «Галар», г. Светловодск, Украина)

В работе представлены результаты разработки системы управления процессом выращивания слитков арсенида галлия, теплового узла, метода и системы измерения внутренних напряжений в пластинах арсенида галлия. Представленные в работе технические решения позволили получить слитки кремния диаметром 100 мм, с подвижностью 2500 ÷ 3500 см²В^-1с^-1; концентраций носителей заряда 5x10¹⁷ ÷ 5x10¹⁸ см^-3 ; плотность дислокаций до 8х10⁴ см^-2.

Ключевые слова: арсенид галлия, слиток, пластина, температурный градиент, диаметр, внутренние напряжения.

...

Додатки:

Оксанич А. П., Притчин С. Э., Тербан В. А.

[Тезисы]

513 Kb