| Керуючі пристрої на базі інтегральних поверхнево-орієнтованих Si та GаAs структурах |
|
Автор: Кишенко Ярослав Іванович, Матвієнко Вадим Васильович (Київський національний університет ім. Тараса Шевченка, м. Київ, Україна) Ситнік Олександр Олександрович, Самойлик Олександр Володимирович (Черкаський державний технологічний університет, м. Черкаси, Україна) Теоретичні та експериментальні пошуки кремнієвих інтегральних p-i-n структур виявили їх ефективність в якості робочих елементів високої швидкодії [1]. Побудуємо теоретичні моделі і порівняємо властивості Si і GaAs поверхнево - орієнтованих структур, а саме швидкість накопичен-ня об'ємного заряду, коефіцієнти пропускання і відбивання електромагнітних хвиль у режимі пропускання та запірання. ...
|
Пошук
Авторизація
Корисні файли
| Інф. повідомлення |
| Заявка на участь |
| Оформлення тез |
| Оформлення літератури |
| Правила транслітерації |
Архів
Останні коментарі
-
Применение галлий-нитридных транзисторов (GAN FET) в системах питания современной РЭАЯрослав Бурковский написав: "Добрый день, графики и расчет были получены средствами Microsoft Excel по методике и рекомендациям Texas Instruments для расчета потерь в синхронных buck-преобразователях."
-
Порівняльний аналіз нейромережевих методів для обробки радіосигналівФаттахов написав: "Доброго дня. Значення параметрів були взяті з джерел, їх було більше ніж вказано в тезі. А для оцінки якості я ввів узагальнений критерій,...
-
Розпізнавання зображень за допомогою сіамської нейронної мережіАндрій Петровський написав: "Дякую за пораду, обов'язково спробую"