"Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи"

Применение галлий-нитридных транзисторов (GAN FET) в системах питания современной РЭА

Бурковский Я. Ю., магистрант; Арсенюк Д. О., магистрант

Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт имени Игоря Сикорского», г. Киев, Украина

Анотація

У роботі представлений аналіз застосування GaN-транзисторів в сучасній РЕА та проведено порівняння з MOSFET-транзисторами в buck- перетворювачі.

Ключові слова: галій-нітрид, GaN, MOSFET, buck-конвертер, живлення РЕА

Аннотация

В работе представлен анализ применения GaN-транзисторов в современной РЭА и проведено сравнение с MOSFET-транзисторами в buck-преобразователе.

Ключевые слова: галлий-нитрид, GaN, MOSFET, buck-конвертер, питание РЭА

Abstract

The paper presents an analysis of usage GaN transistor-based switch-mode PSU in modern electronic and GaN vs MOSFET transistors comparison in the buck converter topology.

Keywords: gallium nitride, GaN, MOSFET, buck converter, switch-mode PSU .

Додатки:

Тезисы

[Бурковский Я. Ю., Арсенюк Д. О.]

243 Kb

...